C3D02060A

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选型替换

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碳化硅肖特基二极管的技术演变及选型方法

本文从技术演变的角度来讲述有关碳化硅肖特基二极管的演变特点,以及它们在性能、可靠性和坚固性上的不同之处,有助于在设计选型阶段考虑这些因素,合理选型。Cree提供商用JBS和MPS SiC二极管已有十余年,这些器件的现场使用时间累积约达1万亿小时。它们的总单位时间故障率(FIT)为0.095,还不到历史悠久的硅器件可比数值的二十分之一。

2016-06-03 -  技术探讨 国产替代

AC3D02060A碳化硅肖特基二极管

本资料介绍了无锡国晶微半导体技术有限公司(AP Semi)生产的AC3D02060A碳化硅肖特基二极管。该产品适用于PFC升压二极管应用,具有零反向恢复电流、高频率操作、温度独立开关行为等特点。

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10-2016  - 数据手册  - Rev. E

CREE对所有封装SiC肖特基二极管产品的150mm扩展晶圆制造设施的认证(PCN-PW070)

Cree,Inc.产品变更通知PCN-PW070:所有封装SiC肖特基二极管产品的150mm扩展晶圆制造设施的资格认证。

CREE  -  C3D02060A,二极管,肖特基二极管,SIC肖特基二极管,C3D02065E,C3D10065A,C4D15120D,C4D40120D,C3D02065E-TR,C3D06065E-TR,C4D15120A,C3D10065I,C3D10065E,C3D06060G-TR,C3D08060G-TR,C3D08065E-TR",C3D0

产品变更通知及停产信息

C3D02060A 600V 2A 第三代 SiC 肖特基二极管

MEV ELEKTRONIK SERVICE GMBH  -  C3D02060A,肖特基二极管,碳化硅 (SIC) 肖特基二极管,可再生能源系统,工业自动化,电动汽车,电机驱动,电源管理,逆变器

国晶微碳化硅功率器件高电压范围产品列表

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G3S系列 650V-3300V SiC MOSFET功率器件

DAZZLE CORE MICRO  -  C3D02060A,功率器件,MOSFET,G3S06502A,G3S06506A,STPSC406D,G3S06530A,G3S06515AT,G3S12020A,G3S06510A,FFSP4065A,G3S12040B,C3D08060A,STPSC806D,FFSP08120A-D,FFSP5065A,FFSP16,太阳能逆变器,工业电源,电动汽车,高效率电源转换

COMMERCIALLY AVAILABLE SIC POWER DEVICES

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2018/07/11  - 数据手册 国产替代

先进光半导体公司介绍 | 产品介绍 | 产品应用 | 合作客户

先进光半导体(深圳)有限公司,由深圳市南方先进电子有限公司与无锡国晶微半导体技术有限公司合资成立,专注于碳化硅功率器件、光电器件等产品的设计与生产。公司拥有全自动生产线,年产能力达8000万只光电光耦器件及1500万只碳化硅功率器件。产品主要应用于蓄电系统、智能电表、电信设备等领域。公司凭借技术优势,提供定制化设计服务,并积极应对中美贸易战带来的挑战,推动国产替代。

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商品及供应商介绍

国晶微碳化硅肖特基二极管宽电压范围产品列表

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RoHS符合性声明Schottky-TO-220-2->C2D05120A、C2D10120A、C3D02060A、C3D03060A、C3D04060A、C3D04065A、C3D06060A、C3D06065A、C3D08060A、C3D08065A、C3D10060A、C3D10065A、C3D16065A、C4D02120A、C4D05120A、C4D08120A、C4D10120A、C4D15120A、C4D20120A、CAB060A、CAC060A、CAD060A、CSD01060A,

本文件为Cree公司关于其产品符合欧盟RoHS2指令的声明,声明日期为2018年5月7日,有效期至2019年5月7日。声明涵盖自2018年5月7日起由Cree及其子公司制造并出货的指定产品,包括多种型号的Schottky二极管。Cree声明这些产品符合欧盟RoHS2指令,不含有超过规定的限制物质。此外,产品符合IEC 61249-2-21关于无卤素的要求。声明由Cree产品生态经理Barry Rayfield和全球站点开发经理Michael Richard签署。

WOLFSPEED  -  C3D02060A,C3D10065A,C2D10120A,C3D04065A,C4D10120A,C4D15120A,C3D04060A,C3D06065A,CSD01060A,C4D02120A,C3D08065A,C3D10060A,C4D08120A,CAC060A,C3D08060A,C3

5/7/2018  - 测试报告 国产替代

材料申报汇总表c3D02060a 82012

本文件为Cree公司及其子公司生产的特定产品(Schottky - TO-220-2 - C3D02060A)的材料声明摘要。该摘要涵盖了自2011年6月20日后由Cree或其代工厂出货的所有产品的材料成分,包括有害物质的存在情况、CAS编号、阈值水平、是否超过阈值、重量、单位、比例和使用说明等信息。此外,还提供了关于运输和包装材料的REACH法规合规性声明,指出除湿度指示卡和/或指示硅胶包可能含有大于0.1%重量的钴二氯化物外,不包含SVHCs。最后,说明了此文档提供的信息仅供参考,并强调Cree不对信息的准确性做出保证或保修。

WOLFSPEED

8/15/2012  - 技术文档 国产替代

利用行业领先的SiC专业知识和能力改造电力

Wolfspeed推出一系列先进的碳化硅(SiC)功率器件,包括1200V MOSFET裸片、650V肖特基二极管、功率模块和参考设计。新推出的1200V MOSFET裸片和650V肖特基二极管旨在提高功率密度和效率。此外,Wolfspeed还提供了XM3高密度功率模块和多种参考设计,以支持快速评估和设计。

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2019/05/27  - 技术文档 国产替代

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