C3D02060A
相关结果约71条碳化硅肖特基二极管的技术演变及选型方法
本文从技术演变的角度来讲述有关碳化硅肖特基二极管的演变特点,以及它们在性能、可靠性和坚固性上的不同之处,有助于在设计选型阶段考虑这些因素,合理选型。Cree提供商用JBS和MPS SiC二极管已有十余年,这些器件的现场使用时间累积约达1万亿小时。它们的总单位时间故障率(FIT)为0.095,还不到历史悠久的硅器件可比数值的二十分之一。
AC3D02060A碳化硅肖特基二极管
本资料介绍了无锡国晶微半导体技术有限公司(AP Semi)生产的AC3D02060A碳化硅肖特基二极管。该产品适用于PFC升压二极管应用,具有零反向恢复电流、高频率操作、温度独立开关行为等特点。
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广告 发布时间 : 2025-03-03
CREE对所有封装SiC肖特基二极管产品的150mm扩展晶圆制造设施的认证(PCN-PW070)
Cree,Inc.产品变更通知PCN-PW070:所有封装SiC肖特基二极管产品的150mm扩展晶圆制造设施的资格认证。
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C3D02060A 600V 2A 第三代 SiC 肖特基二极管
C3D02060A 是一款600V 2A 第三代 SiC 肖特基二极管。该产品具有低正向电压降(1.5V)和高可靠性,适用于各种工业和汽车应用。其主要特点包括低损耗、快速开关速度和高耐压能力。该二极管采用TO-247-3封装,适用于高功率密度设计。其典型应用场景包括电源管理、电机驱动和逆变器等。C3D02060A 的主要规格参数包括:额定电压600V,额定电流2A,正向电压1.5V。该产品广泛应用于工业自动化、电动汽车和可再生能源系统等领域。
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国晶微碳化硅功率器件高电压范围产品列表
国晶微半导体提供650V至1700V,2A至100A的碳化硅功率器件,涵盖肖特基二极管、MOSFET等,应用于太阳能逆变、新能源汽车等领域。
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G3S系列 650V-3300V SiC MOSFET功率器件
该系列产品是基于碳化硅(SiC)材料的MOSFET功率器件,涵盖650V到3300V的不同电压等级和2A到100A的不同电流规格。这些器件具有低导通电阻、高开关速度和高温工作能力,适用于各种高效率电源转换应用,如电动汽车、工业电源、太阳能逆变器等。产品封装形式多样,包括TO-220AC、TO-247AB、TO-252、TO-263等,以满足不同应用场景的需求。其主要优势在于高效能、小尺寸和长寿命,能够显著提高系统的整体性能和可靠性。此外,这些SiC MOSFET器件还具备较低的热阻和更高的耐压能力,能够在恶劣环境下稳定工作。具体型号如G3S06502A、G3S06503A、G3S06504A等,均采用先进的制造工艺,确保了产品的高质量和一致性。
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COMMERCIALLY AVAILABLE SIC POWER DEVICES
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先进光半导体公司介绍 | 产品介绍 | 产品应用 | 合作客户
先进光半导体(深圳)有限公司,由深圳市南方先进电子有限公司与无锡国晶微半导体技术有限公司合资成立,专注于碳化硅功率器件、光电器件等产品的设计与生产。公司拥有全自动生产线,年产能力达8000万只光电光耦器件及1500万只碳化硅功率器件。产品主要应用于蓄电系统、智能电表、电信设备等领域。公司凭借技术优势,提供定制化设计服务,并积极应对中美贸易战带来的挑战,推动国产替代。
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国晶微碳化硅肖特基二极管宽电压范围产品列表
提供650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A系列,应用于太阳能逆变、新能源汽车等领域,具备高速开关和低导通电阻特性。
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RoHS符合性声明Schottky-TO-220-2->C2D05120A、C2D10120A、C3D02060A、C3D03060A、C3D04060A、C3D04065A、C3D06060A、C3D06065A、C3D08060A、C3D08065A、C3D10060A、C3D10065A、C3D16065A、C4D02120A、C4D05120A、C4D08120A、C4D10120A、C4D15120A、C4D20120A、CAB060A、CAC060A、CAD060A、CSD01060A,
本文件为Cree公司关于其产品符合欧盟RoHS2指令的声明,声明日期为2018年5月7日,有效期至2019年5月7日。声明涵盖自2018年5月7日起由Cree及其子公司制造并出货的指定产品,包括多种型号的Schottky二极管。Cree声明这些产品符合欧盟RoHS2指令,不含有超过规定的限制物质。此外,产品符合IEC 61249-2-21关于无卤素的要求。声明由Cree产品生态经理Barry Rayfield和全球站点开发经理Michael Richard签署。
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材料申报汇总表c3D02060a 82012
本文件为Cree公司及其子公司生产的特定产品(Schottky - TO-220-2 - C3D02060A)的材料声明摘要。该摘要涵盖了自2011年6月20日后由Cree或其代工厂出货的所有产品的材料成分,包括有害物质的存在情况、CAS编号、阈值水平、是否超过阈值、重量、单位、比例和使用说明等信息。此外,还提供了关于运输和包装材料的REACH法规合规性声明,指出除湿度指示卡和/或指示硅胶包可能含有大于0.1%重量的钴二氯化物外,不包含SVHCs。最后,说明了此文档提供的信息仅供参考,并强调Cree不对信息的准确性做出保证或保修。
WOLFSPEED
利用行业领先的SiC专业知识和能力改造电力
Wolfspeed推出一系列先进的碳化硅(SiC)功率器件,包括1200V MOSFET裸片、650V肖特基二极管、功率模块和参考设计。新推出的1200V MOSFET裸片和650V肖特基二极管旨在提高功率密度和效率。此外,Wolfspeed还提供了XM3高密度功率模块和多种参考设计,以支持快速评估和设计。
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可定制ATD TE Dehumidifier的冷却功率:20~220W;工作电压:12V(DC)/ 220V(AC);控温精度:≤±0.5℃;尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400(长*宽;单位mm)。
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