C3D04060F
相关结果约74条碳化硅肖特基二极管的技术演变及选型方法
本文从技术演变的角度来讲述有关碳化硅肖特基二极管的演变特点,以及它们在性能、可靠性和坚固性上的不同之处,有助于在设计选型阶段考虑这些因素,合理选型。Cree提供商用JBS和MPS SiC二极管已有十余年,这些器件的现场使用时间累积约达1万亿小时。它们的总单位时间故障率(FIT)为0.095,还不到历史悠久的硅器件可比数值的二十分之一。
CREE 采用TO-247-2, TO-220-FullPAK, and TO-220-Isolated封装的SiC肖特基二极管组装地点变更通知(PCN-PW068)
Cree SiC肖特基二极管封装在TO-247-2封装中,目前由合格分包商PSi Technologies,Inc.组装,该公司位于菲律宾卡拉姆布拉市。
CREE - C3D04060F,SIC肖特基二极管,C3D10065I,C3D03060F,C4D10120H,C3D06065I,C5D25170H,C4D20120H,C3D06060F,C3D10170H,C3D25170H,C3D08065I,C4D15120H,C3D02060F
广告 发布时间 : 2025-03-03
Wolfspeed C3D04060F SiC肖特基二极管
Wolfspeed C3D04060F是一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,具有高性能和可靠性。该产品采用了MPS(合并PiN肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固和可靠。C3D04060F二极管与SiC MOSFET结合使用,可提供更高的效率和降低的组件成本。该产品适用于各种应用,包括工业、汽车和可再生能源领域。
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COMMERCIALLY AVAILABLE SIC POWER DEVICES
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CREE对所有封装SiC肖特基二极管产品的150mm扩展晶圆制造设施的认证(PCN-PW070)
Cree,Inc.产品变更通知PCN-PW070:所有封装SiC肖特基二极管产品的150mm扩展晶圆制造设施的资格认证。
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亲们,PFC上面需要一款650V 4A的SIC SBD ,主要是替换CREE C3D04060F这个型号,规格对上,交期要好的帮忙看看有推荐的
推荐泰科天润的G5S06504HT。650V4A,封装TO-220F。详情:/doc/2229643.html
材料申报汇总表c3D04060F 82012
本资料为Cree公司生产的C3D04060F产品材料声明摘要。摘要涵盖了自2011年6月20日后由Cree及其子公司制造并运输的产品。资料详细列出了产品中可能存在的有害物质,包括重金属、卤代烃等,并说明了其含量是否超过法定阈值。此外,还提供了产品包装和运输材料中可能含有的物质信息。资料强调,产品符合相关法规要求,并提供了联系方式以获取更多信息。
WOLFSPEED
利用行业领先的SiC专业知识和能力改造电力
Wolfspeed推出一系列先进的碳化硅(SiC)功率器件,包括1200V MOSFET裸片、650V肖特基二极管、功率模块和参考设计。新推出的1200V MOSFET裸片和650V肖特基二极管旨在提高功率密度和效率。此外,Wolfspeed还提供了XM3高密度功率模块和多种参考设计,以支持快速评估和设计。
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【产品】600VSiC肖特基二极管整流器,耐高温能力出色
C3D04060系列肖特基二极管致力于为用户提供更高开关频率和更高效率的电源解决方案。
市售SiC功率器件
Wolfspeed提供多种碳化硅(SiC)功率器件,包括MOSFET和肖特基二极管,旨在提高开关频率并减小组件尺寸。产品具有高阻断电压、低导通和开关损耗等特点。资料中详细列出了不同型号的器件,包括其阻断电压、导通电阻、电流额定值和封装类型。此外,还介绍了模块、门驱动板和参考设计,以支持客户的设计需求。
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Wolfspeed(科锐)600V/650V肖特基二极管扩展设施可靠性认证报告
在北卡罗来纳州达勒姆扩建工厂生产的Cree,Inc.C3D肖特基二极管的产品鉴定报告。
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