PIM模块
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【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块，可替代硅基IGBT芯片的模块，系统损耗降低三分之一
又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块，实现了对硅基IGBT芯片的模块替代，在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时，这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式，模块体积减少约57％，而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新，模块可靠性得到大幅提升，非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
1200V/15A IGBT模块K200A70，匹配380V变频器2KW设计的兼容式PIM模块
基于2KW的380V系统变频器的主体架构，1200V电压和15A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA015M7-K200A70，规格1200V/15A，兼容式miniskiip封装，封装体积小（42mm*40mm*16mm），匹配2KW变频器的设计。
发布时间 : 2025-03-03
【元件】专为变频器设计的1200V 15A系列PIM模块SP15R12F6，产品性能达到国产化替代要求
森未科技正式推出1200V15A 系列PIM模块SP15R12F6。此产品专门为变频器市场进行优化设计，参数与进口产品相当，可直接替换国外同类型产品，降低客户产品开发成本，缩短开发周期。
【产品】集成三相整流模块和IGBT全桥模块的PVD30E8功率集成模块（PIM），热阻最大1.22℃/W
PVD30E8是KYOCERA（京瓷）半导体公司推出的一款功率集成模块（PIM），集成了三相整流模块（整流器）和IGBT全桥模块（逆变器），提高了IGBT电路的功率密度。断态重复峰值电压与反向重复峰值电压均为800V，平均通态电流为30A，浪涌通态电流为200A，门极触发电流为50mA，门极触发电压为2.5V，维持电流为50 mA。可以应用在驱动电路、逆变电路、斩波电路以及开关电源等领域。
你好，我咨询一下K209A05的模块，这个模块是停产了吗？如果停产了，替代型号是什么？如果没有停产，完整的型号规格是什么？
这款模块是vincotech的miniskiip 1系列PIM模块产品，没有停产。具体型号为V23990-K209-A，规格为1200V/8A。可以在万象城平台平台查看详细datasheet：/doc/38362.html
PIM模块推荐品牌：
【应用】采用E2A封装的国产PIM模块MG75P12E2A用于伺服驱动器，可减小PCB板的面积
有客户在设计总线型伺服驱动器时，需要1200V 75A，EasyPIM封装的PIM模块。根据上文所指出的需求，我们推荐了扬杰科技PIM模块MG75P12E2A，它满足EASYPIM封装，内部集成整流、制动、逆变等模块可以减小PCB板的面积。
SPS15P12W1M4 1200V 15A IGBT PIM Module（1200V 15A IGBT PIM 模块）
该资料详细介绍了SOLIDPOWER SPS15P12W1M4 IGBT模块的技术规格和应用信息。文档涵盖了模块的通用描述、特性、典型应用、最大额定值、特征值以及电路图和封装尺寸等内容。
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HP15R12W1 PIM IGBT功率模块初步数据表
本资料为HP15R12W1 PIM IGBT功率模块的初步规格书，介绍了该模块的产品特性、应用领域和典型性能参数。主要包括低开关损耗、低VCE(sat)损耗、低电感设计等特点，适用于工业应用、太阳能组串逆变器、储能逆变器和UPS系统等领域。
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GPK75PI120D6T4 PIM-D6模块
本资料介绍了CREATEK Microelectronics生产的GPK75PI120D6T4模块，这是一种集成式功率模块（PIM），包含一个1200V 75A的IGBT和一个反向恢复二极管。该模块适用于电机驱动、逆变器和其他软开关应用，具有低损耗、良好的短路能力等特点。
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这个FLOWE2封装有600V的吗？提问来源：Vincotech兼容主流EASY封装的IGBT功率模块，样品现货供应，有奖下载赢1个Kindle和10个风扇！
Vincotech的flow E2封装有600V耐压的模块，其中10-E206PMA050SA-L184A38Z和10-EY06PMA050SA-L184A38T是600V/50A的PIM模块，10-EY066PA100SA-L194F38T是600V/100A的六管模块，可在世强官网下载datasheet参考。
新洁能1200V IGBT功率集成模块PIM系列
新洁能推出的IGBT功率集成模块（PIM）系列产品，基于先进的IGBT芯片技术和高可靠性的封装技术，涵盖650V、750V、1200V和1700V电压等级。该系列产品搭载不同系列的IGBT芯片，保证产品工作效率良好，并提供各种通用封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，以满足不同的应用要求。这些模块广泛应用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。其主要特点包括高兼容性和高可靠性，封装形式多样，如34mm、62mm、Y1-PIM、Y2-PIM、E4-PIM、E6-PIM等，且支持多种电流等级和开关频率范围。具体参数方面，产品的额定电流从15A到600A不等，饱和电压（VCE(sat)）在1.55V至2.4V范围内，适用于1~40KHz的开关频率。
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具有沟槽场截止IGBT、发射极控制二极管和NTC的PIM
本文档提供了一个采用沟槽场截止IGBT、发射极控制二极管和NTC热敏电阻的电力集成模块（PIM）的详细规格。它包括了IGBT和二极管组件在逆变器和制动配置下的最大额定值、特性值和典型特性。此外，它还概述了模块的隔离特性、杂散电感。
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
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可定制无线位移传感器量程范围10~600mm，采用了无线传输方式，可远程自动实时检（监）测位移量值，准确度级别(级)：0.2、0.5;内置模块：无线传输模块、供电模块;传输距离L(m)：可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
最小起订量：1pcs 提交需求>