SEMI-FUTURE模块选型表
SEMI-FUTURE提供以下参数的模块选型,VCES:650V~1700V,lc:10A~900A
产品型号
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品类
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VCES(V)
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lc(A)
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SS820R08SA6
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模块
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750
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820
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SEMI-FUTURE单管选型表
SEMI-FUTURE提供以下参数的单管选型,VCES:650V~1200V,lc:40A~120A
产品型号
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品类
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VCES(V)
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lc(A)
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Topology
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SD40R12A6
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单管
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1200
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40
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Discrete
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发布时间 : 2025-03-03
SEMI-FUTURE晶圆选型表
SEMI-FUTURE提供以下参数的晶圆选型,VCES:650V~1700V,lc:15A~300A,VCE(sat):1.4V~6.02V,VGEth:1.67V~6V
产品型号
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品类
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VCES(V)
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lc(A)
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VCE(sat)(V)
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VGEth(V)
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SC193N12TFI8B
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晶圆
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1200
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200
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1.65
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5.8
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IGBT驱动器短路保护功能的测试方式
IGBT驱动器在应用中主要解决的问题就是如何在过流过流、短路和过压的情况下对igbt实行比较完善的保护。短路故障发生发瞬间就会产生极大的电流,很快就会损坏IGBT,主控制板的过流保护根本来不及,必须由驱动电路或驱动器立刻加以保护,本文SEMI-FUTURE森未科技就详细说说IGBT驱动器短路保护功能的测试方式。
SEMI-FUTURE-英飞凌-IGBT模块对照表
型号- FF150R17KE3/KE4,FF100R12RT4,FS150R12KT4,SP100R12B6,SF200R12E6,FP100R12KT4,FF150R12RT4,SF300R12E6,SF75R12A7U,IKW50N65ES5,FF300R17KE3/KE4,FP25R12W2T4,FF
森未科技200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10GA7U_C20,采用三电平INPC拓扑
森未科技正式发布GA系列首品:S3L400R10GA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能,兼容性好。采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD,针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
【元件】专为变频器设计的1200V 15A系列PIM模块SP15R12F6,产品性能达到国产化替代要求
森未科技正式推出1200V15A 系列PIM模块SP15R12F6。此产品专门为变频器市场进行优化设计,参数与进口产品相当,可直接替换国外同类型产品,降低客户产品开发成本,缩短开发周期。
IGBT设计驱动电路的基本要求以及过流保护方法
驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用。本文SEMI-FUTURE来为大家介绍IGBT设计驱动电路的基本要求以及过流保护方法,希望对各位工程师朋友有所帮助。
森未科技授权万象城平台代理全线100+产品,涵盖IGBT晶圆/模块/单管
产品已广泛应用于工业变频、光伏/储能、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。
市场推广资料
本资料主要介绍了某元器件公司在2024年10月的产品应用案例、产品应用位置以及产品技术路线。资料中详细列举了公司在光伏、储能、充电桩、工控、车企等不同行业的成熟产品应用和订单案例,包括商灶/感应加热、低压APF/SVG、高压变频及SVG、光伏逆变器、单晶硅电源、户用储能、PCS、集中式储能、充电桩、工控、新能源车等领域的应用案例。同时,资料还展示了产品在各个应用位置的技术路线,如IGBT芯片的电压、电流覆盖范围,以及团队的技术发展历程。
SEMI-FUTURE - IGBT芯片,逆变器,储能系统,充电桩,模块,SF150/200/300/400R17E6,SD50R12A6HS,SF300R17D6B,SF75/100/150R12A6H,SD75R07A6U,SF75/100R17A6,10A-100A PIM模块/SS150R12B6,SF200/300/450/600R12E6,SF450/600R,工控,车企,光伏,储能
森未科技IGBT模块SF450R12E6B,采用先进的高密度沟槽技术,保证了较低的导通压降和开关损耗
SF450R12E6B可应用于逆变器、工业变频器、风力发电、大功率电源等工业领域,针对工业应用的特点优化了器件损耗,提高了系统效率。优化了器件EMI特性,降低了系统噪声SF450R12E6B经过严格的可靠性测试,适用于各种严酷的工业应用环境。
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