SGMICRO（圣邦微）运算放大器/电压转换器/ADC/驱动器选型指南

SGM8740 45ns、3V/5V、单电源、低功耗、轨到轨I/O比较器

SGM8740是一款高速、低功耗的单通道比较器，具有45ns的传播延迟。该器件适用于3V或5V单电源操作，并消耗仅为155µA的电流。它支持轨到轨输入和输出，内部包含用于减少噪声敏感性的滞后功能。SGM8740可在-40℃至+85℃的温度范围内工作，并提供绿色SOT-23-5和SC70-5封装。

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SGM8770高压、高精度、双通道差分比较器

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SGM8212-1Q/SGM8212-2Q低噪声、高电压、汽车运算放大器

该资料介绍了SGM8212-1Q和SGM8212-2Q两款低噪声、高压汽车级运算放大器。这些器件适用于2.7V至36V单电源或±1.35V至±18V双电源供电，具有低静态电流、轨到轨输入和输出电压摆幅等特点。它们经过AEC-Q100认证，适合汽车应用。

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SGM8774-1高电压、高精度、单通道差分比较器

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SGM8263-1/SGM8263-2超低失调电压、高线性度、低噪声运算放大器

该资料介绍了两款低噪声运算放大器SGM8263-1和SGM8263-2。这些器件适用于高电压系统，具有超低的偏移电压、低输入电压噪声、高线性度等特点，广泛应用于温度测量、压力传感器、精密电流检测等领域。

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SGM8776-1高压差分比较器

SGM8776-1是一款高速高压差分比较器，具有快速响应时间（180ns），适用于高电压操作。它支持单电源3.4V至30V或双电源±1.7V至±15V。该器件采用N-MOSFET开漏输出结构，可驱动高达50V的电势差，并具备多种应用功能。

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SGM8212-1/SGM8212-2低噪声、高电压运算放大器

该资料介绍了SGM8212-1和SGM8212-2两款低噪声、高电压运算放大器。这些器件适用于2.7V至36V单电源或±1.35V至±18V双电源供电，具有低静态电流和高共模抑制比等特点。它们提供轨到轨输入和输出，并支持宽范围的输入共模电压。此外，还提供了详细的电气特性、典型性能曲线和应用信息。

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SGM8740 45ns、低功耗、3V/5V、轨到轨输入单电源比较器

SGM8740是一款低功耗、高速响应的单电源比较器，具有宽电压范围（2.7V至5.5V）和轨到轨输入功能。该器件适用于便携式和电池供电系统，提供快速传播延迟（45ns）、低静态电流（155μA典型值）和高共模抑制比。

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SGM8780-1高压差分比较器

SGM8780-1是一款高速高压差分比较器，具有快速响应时间（180ns）、宽电源电压范围（3.4V至30V）和高电平输出电流能力。该器件适用于工业设备、电信设备和CMOS或TTL逻辑电路。

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SGM8740 45ns, Low-Power, 3V/5V, Rail-to-Rail Input Single-Supply Comparator

SGM8740是一款高速、低功耗的单通道比较器，适用于3V或5V电源供电的系统。它具有快速响应时间（45ns）、低功耗（典型值为155µA）和轨到轨输入范围。该器件的特点还包括宽电源电压范围（2.7V至5.5V），内部滞环确保了干净的输出切换。

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SGM8744 6ns、3V/5V、单电源、低功耗、轨到轨I/O比较器

SGM8744是一款高速、低功耗的单通道比较器，具有6ns的传播延迟。该器件适用于3V或5V供电电压，并消耗仅为1.3mA的电流。它支持轨到轨输入和输出操作，内部具有滞后功能以减少噪声敏感性。

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SGM8745x 6ns、3V/5V、单电源、低功耗、轨到轨I/O比较器

SGM8745X是一款高速、低功耗的单电源比较器，具有6ns的传播延迟，适用于3V或5V供电。它支持轨到轨输入和输出，具有低偏移电压和低功耗特性，适用于便携式设备和电池供电设备。

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SGM8770XMS8G高电压、高精度、双通道差分比较器

SGM8770XMS8G是一款高压、高精度的双通道差分电压比较器，适用于工业设备。该器件具有宽电源范围（单电源2.8V至36V或双电源±1.4V至±18V），低功耗（典型值330μA），低输入偏移电压（最大2.4mV）和低输入失调电流（典型值±20pA）。它支持CMOS或TTL逻辑，并采用绿色MSOP-8封装。

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SGM8701 1.4V、微功耗、轨到轨I/O、CMOS输入、推挽输出比较器

SGM8701是一款超低功耗的比较器，具有微功率、轨到轨输入/输出功能。该器件在1.4V电压下仅消耗典型值300nA的电源电流，支持从1.4V至5.5V的单电源供电。它采用推挽输出结构，适用于电池供电的应用。

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SGM8778-1高电压、1.2μA超低电流、高精度、单差分比较器

SGM8778-1系列是一款高压、低功耗、高精度的单通道差分比较器，适用于高电压操作。该系列器件具有宽电源电压范围、超低功耗、低输入偏移电压、低输入偏置电流、轨对轨输入和输出、内部滞回特性、共模抑制比和电源抑制比等特点。

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