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IGBT 单管&模块
该资料介绍了某功率器件公司的核心优势和产品线。公司提供多种电压等级和电流范围的IGBT产品,包括650V至1700V、10A至200A的单管、芯片和模块。其技术路线聚焦于高性能的工业类、智能电网和新能源汽车领域的IGBT模块、MOSFET和SiC产品。公司拥有一支由前IR研发负责人领导的IGBT芯片设计团队和经验丰富的封测团队。此外,公司在感应加热、高频逆变、工业电机驱动和新能源汽车等领域拥有多样化的客户群体。
银河微电子 - IGBT模块,电源模块,车规模块,IGBT单管,光储能模块,电机驱动模块,GKU50N65RF5,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM400HF120S4T1M,GKU20N65EH3,GKU40N65EH3,TGKU50N65DH3,GKU25N120ET2,GKU40N120RF5,GKU50N65ET,GKF20N65EH3,GM75HF120S2F2A,GM40FFB120C1T1,GKF07N65,GM400HF65S4T1A,TGKU40N120NH3,GKB20N65H3,GKD05N65,GM200SG65S1T1,GM100PI120C2T1X,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKU15N120H3,TGKU50N65ET,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM400HF65C3T1,GM150FFB120C2T1M,GM15PJ120E1T3A,GM300HF120S4T1M,GKB20N65EH3,TGKU40N120DT2,GM25PJ120E2T3A,TGKU65N65RF5,GKF06N65,GM10PJ120E1T3A,GKP20N65H3,GKU25N120DH3,GKU65N65RF5,GM100HF120S2F1B,GKU50N120EH3,GKU50N120CH3,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU50N65H3,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GKP20N65EH3,GKF05N65,GKU40N65DH3,GM50PI120C1T3A,GKU75N120EH3,GKU15N120ET2,GKF20N65H3,GKU20N65H3,GM40PI120C1T3A,GKU10N120T2,GM40HF120S2F2A,GKD07N65,TGKU75N65EH5,GKU50N65DH3,GM600HF65C3T1,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GM50HF120S2F2A,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,TGKU40N120ET2,GM600HF120C3T1M,交直流焊机副边,变频器,电机控制,新能源车,采暖炉,新能源大巴,工缝,新能源车PTC,重卡泵类驱动,不间断电源,UPS,伺服,空调行业,感应加热产品,储能,空压机,电机驱动,重卡,充电桩,新能源车OBC,中频感应加热,新能源汽车,交流焊机,泵类,光伏,逆变器,感应加热,新能源汽车领域,工业电源,变频,家电,高频逆变领域,新能源车空压机,商灶,高频逆变,光伏逆变器,工业电机驱动产品,焊机
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【元件】长晶科技FST3.0 IGBT新品发布&光伏储能/逆变器/充电模块应用方案
长晶科技全新推出了FST3.0(对标国际Gen7.0)650V和1200V系列的三款IGBT单管,主要用于光伏储能等应用。新品使用最新的微沟槽栅(1.6μm Pitch)+场终止技术,提高载流子密度;芯片元胞/功率密度增大,经济性更好;针对光储类应用优化了通态损耗和开关损耗,同时又保证产品的鲁棒特性。
PARA LIGHT 光鼎电子IGBT功率器件&IGBT功率模块&IGBT分立器件选型表
PARA LIGHT提供IGBT管和IGBT模块选型表产品,Bvce:650V~1200V,ID:50A~600A
产品型号
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品类
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封装
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电压
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电流(max)
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Vce (sat)
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PC50N065AH7S
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IGBT单管
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TO247-3
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650V
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50A
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1.6V
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【选型】如何为1500V光伏逆变器选择合适的IGBT功率模块?
Vincotech针对1500V电压等级的光伏逆变器,推出了高集成度的对称式BOOST模块(10-FY09S2A065ME-L869L08)和NPC模块(10-F124NIx150SH0-LGx8F98)。既可以实现较高的开关频率,同时又能有效的降低损耗、提高效率,减小整机的体积。
【元件】瑶芯推出全新T系列IGBT单管,配备全电流快恢复二极管,大幅提高家电和工业设备效率
瑶芯推出全新650V S3平台T系列IGBT单管,产品针对短路耐量进行了专门的优化,并配备了全电流快恢复二极管。T系列IGBT单管凭借整体最佳的IGBT饱和电压和二极管正向电压性能,使系统具有更低的功耗和更好的热性能,是家电、工业电机驱动领域的最佳产品,包括UPS/PV和PFC在内的各种应用均适用。
1200V/15A IGBT模块K200A70,匹配380V变频器2KW设计的兼容式PIM模块
基于2KW的380V系统变频器的主体架构,1200V电压和15A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA015M7-K200A70,规格1200V/15A,兼容式miniskiip封装,封装体积小(42mm*40mm*16mm),匹配2KW变频器的设计。
【选型】2.2KW变频器设计推荐1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28
Vincotech旗下1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28采用Flow0封装,集成整流桥+制动+逆变拓扑,是2.2KW变频器主拓扑的优选,目前已经成熟应用于该类变频市场,性价比高。
东海半导体授权万象城平台,代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS
40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计,不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷,还拥有卓越的开关速度,VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。
芯际探索授权万象城平台代理功率半导体,满足多领域逆变器/UPS/变频器应用需求
芯际探索产品包括IGBT单管及模块、IPM、SJ/VD/SGT/Trench MOSFET、FRD、SiC MOS/SBD/JBS/功率模块和HVIC系列等。
森未科技IGBT模块SF200R12E6具备低开关损耗、高短路能力等特点,适用于变频器、UPS、电源等
今天为大家推介的产品是森未科技变频器用IGBT模块:SF200R12E6,规格为1200V/200A,采用森未科技E类封装,目前已经在变频器、UPS、电源等行业广泛应用,可靠性及功耗表现均达到业内优秀水平。
【选型】为2.2KW变频器推荐1200V/25A的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z
目前变频器2.2KW的功率段主要是对应适配的电机功率。采用三相380V输入,2.2KW的变频器的电源容量大约会设计在4.0KVA,选型时推荐1200V/25A的PIM(集成整流+刹车+逆变)类型的IGBT模块。因此本文推荐使用Vincotech的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z。
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光伏逆变器中的T型三电平较传统的半桥IGBT而言,在中性点上多了四个元器件,两颗IGBT单管+2颗续流二极管,一般称呼为“平管”,“平管”主要起到中点续流作用,对改善输出纹波及降低损耗都有很好的效果,而“平管”能承受的最大续电流是有限制的,本文以Vincotech的10-FZ12NMA040SH-M267F MNPC T型三电平IGBT模块为例说明如何通过规格书正确读出该值。
IGBT 50A/75A 1200V单管-工控应用新产品发布
新发布产品包括TO-264封装的50A/75A 1200V IGBT单管,适用于伺服器和变频器。该产品具有低导通损耗、高可靠性,符合RoHS标准,最高结温175℃,正温度系数,具备1200V高耐压和较强的短路耐受能力。
扬杰科技 - IGBT,IGBT单管,DGL75N120CTL1J,DGL50N120CTL0D,变频器,伺服器
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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